중국 CXMT는 상하이 반도체 행사에서 메모리 집적도를 높이는 새 셀 아키텍처 개발 진전을 공개했다. 핵심은 4F² 구조로, 기존 6F²보다 셀 면적을 이론적으로 약 3분의 1 줄여 같은 면적에 더 많은 데이터를 담는 방식이다. 회사는 수직 트랜지스터, 메모리 셀과 주변 회로의 분리 생산, 하이브리드 본딩을 함께 활용해 서버용 DDR5 제품을 2026년 말까지 내놓겠다고 밝혔다.

기술적으로 중요한 점은 D램의 저장 밀도와 공정 구조를 동시에 바꾸려는 시도라는 데 있다. 다만 이번 발표만으로 상용화 성과를 판단하기는 어렵다. CXMT는 속도, 용량, 생산 공정, 수율, 공급 규모를 공개하지 않았고 외부 검증 정보도 없었다. 업계는 실제 경쟁력 판단 기준이 기술 공개가 아니라 안정적 양산이라고 본다. 국내 기업들도 4F² 구조와 3차원 D램을 연구 중이어서, 이번 발표만으로 기술 우위를 단정하기는 이르다.